金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市港祥辉电子有限公司申请一项名为“一种纵向常关型GaN复合型JFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN118888573A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种纵向常关型GaN复合型JFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属的上方依次设置有n型SiC衬底、n型GaN、第一p型GaN、GaN沟道层、AlGaN势垒层、第二p型GaN、栅极金属、隔离介质以及源极金属。通过采用纵向结构实现了高耐压特性，超过传统横向GaNHEMT器件，器件在正常导通时，通过AlGaN和GaN界面的二维电子气及n型GaN中电子的共同导电，确保了低导通电阻和优异的电流续流能力；此外，器件的通断控制依赖于二维电子气的形成，通过栅极电压控制二维电子气的产生，实现低驱动损耗和快速的开关速度，不仅提高了电源应用的效率，还具备优良的电学特性。
本文源自金融界
免责声明：本文章如果文章侵权，请联系我们处理，本站仅提供信息存储空间服务如因作品内容、版权和其他问题请于本站联系