金融界2024年9月11日消息，天眼查知识产权信息显示，北京中科新微特科技开发股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括如下步骤：在外延层的一侧形成沟槽，沟槽包括底壁和侧壁，侧壁包括第一区域和第二区域，第一区域位于第二区域和底壁之间。在沟槽内形成牺牲层，牺牲层覆盖底壁以及第一区域。至少在第二区域的表面形成第一掩膜层。去除牺牲层，并在底壁以及第一区域形成第一氧化部。去除第一掩膜层，并在第二区域形成第二氧化部，第一氧化部的厚度大于第二氧化部的厚度，第一氧化部和第二氧化部形成栅极氧化层。
本文源自金融界
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