金融界2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市港祥辉电子有限公司申请一项名为“一种凹槽型GaNMIS-HEMT纵向器件及其制备方法”的专利，公开号CN118763105A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种凹槽型GaNMIS‑HEMT纵向器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属的上方设置有n型SiC衬底、n型GaN以及p型GaN，所述p型GaN的内部设置有GaN沟道层，所述GaN沟道层贯穿p型GaN的内部并延伸至n型GaN的内部，所述GaN沟道层的内部设置有AlGaN层，所述AlGaN层的内部设置有绝缘介质以及栅极金属，所述p型GaN的上方设置有源极金属。通过采用凹槽型GaNMIS‑HEMT纵向器件的设计，不仅可以有效减小器件的尺寸，在相同的耐压条件下实现更高的集成度和密度，而且通过MIS栅极结构的优化，显著提高了栅极的绝缘性能，减少了漏电流。
本文源自金融界
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